Co to jest wzrost wafla LED?

Jest to kluczowy krok w produkcji wiórów LED. Zwykle stosuje się technologię organicznego organicznego osadzania pary (MOCVD). W tym procesie gazy zawierające związki organiczne metalowe, takie jak galu (GA), indium (IN) i Źródło azotu (N) są wykorzystywane do uprawy półprzewodników na materiale substratu (takim jak substrat sapphire) w wysokim poziomie w wysokim -Temperatura, komora reakcyjna o niskim ciśnieniu. Na przykład, w przypadku diod LED opartych na azotku galu (GAN), precyzyjnym kontrolowanie szybkości przepływu gazu reakcyjnego, temperatury i ciśnienia oraz innych parametrów można uprawiać warstwy epitaksjalne o określonej strukturze i właściwościach, której grubość jest taka ogólnie w pobliżu kilku mikronów. Jakość tych warstw epitaksjalnych wpływa bezpośrednio na wydajność i kolor i inne cechy.